sk하이닉스 dram 썸네일형 리스트형 DRAM 과 HBM 의 차이 (삼성전자, SK하이닉스) DRAM의 한계:DRAM은 데이터 저장을 위해 캐패시터와 트랜지스터를 사용합니다. 하지만 반도체 기술이 발전하면서 DRAM의 셀 크기가 점점 줄어들고, 그에 따라 누설 전류 문제가 심각해지고 있습니다. 이는 전자가 캐패시터에 저장되지 않거나 데이터가 제대로 유지되지 않는 문제를 일으킵니다. 그래서 DRAM은 일정 시간마다 리프레시(데이터 새로고침)를 필요로 하고, 이는 전력 소모를 증가시킵니다.DRAM의 성능 저하:DRAM의 밀도는 과거 10년 동안 두 배밖에 증가하지 못했으며, 반도체 공정이 복잡해지면서 성능 개선이 둔화되고 있습니다. 또한 DRAM 구조상 데이터 전송 속도가 느려지고 있기 때문에, 최신 반도체 기술에서 병목 현상을 일으키는 경우가 많습니다. 이를 해결하기 위해 HBM 같은 대안이 등장.. 더보기 이전 1 다음
